10.
Розрахунок паразитних зв’язків
10.1
Розрахунок паразитних ємностей.
Для
розрахунку паразитних ємностей, були
використані слідуючи формули:
|
|
(
) |
|
|
(
) |
Де:
С1.2 – ємність між двома паралельними
провідниками
e1
–
діелектричні проникність підложки.
e2
– діелектрична проникність навколишнього
середовища.
l
–
довжина двох паралельних провідників,
см.
F1.2
– ємнісний
коефіцієнт для двох провідників.
F1.3
– ємнісний
коефіцієнт для трьох провідників.
b1,
b2
– ширина першого
і другого провідника
відповідно,
мм.
a
- відстань
між провідниками, мм.
Діелектрична
проникності для сітала 7
Діелектрична
проникності для повітря 1,0006
Паразитний
зв’язок між трьома довгими провідниками,
які знаходяться у верхній частині підложки.
b1=0,1 мм b2=0,1 мм b3=0,1 мм a1=0,17 мм a2=0,17 мм l=0,8 см
F1.2=0,966 C1.2=0,274 пФ
F1.3=0,539
C1.3=
0,153 пФ
10.2
розрахунок власної індуктивності
Для
розрахунку власної індуктивності,
використана наступна формула
|
|
(
) |
де:
L
– власна
індуктивність,
мкГн
l
– довжина провідника,
мм
b
– ширина провідника,
мм.
Розрахунок
власної індуктивності для провідника, що
знаходиться з самого верху підложки.
l=1,5 мм b=0,1 мм
11.
Висновки
Під
час курсового проектування я розробляв
топологію двонапівперіодного
перетворювача в гібридному виконанні.
При
проектуванні топології я використовував
метод Ф, який дозволяє з великою точністю
дотримуватись потрібного номіналу.
Для
своєї мікросхеми, в якості підложки, я
використав сітал марки СТ50-1.
Для
напилення резистивного шару
я використав сплав РС-3710, який має питомий
поверхневий опір 3000 Ом/квадрат.
В
якості діелектрика я використав монооксид
кремнію, який має питому ємність 5000 пФ/см2.
Для
напилення провідного шару (металізації), я
використав алюміній марки А99.
Для
цієї мікросхеми використаний чотирнадцяти-контактний
метало скляний корпус,
марки 1203.14-1, виводи якого розташовані
перпендикулярно в два ряди. Відстань між
рядами виводів 10 мм. Розміри площадки
для монтажу мікросхеми 14´6,2.
Крок між сусідніми виводами 2,5 мм. Габарити
корпусу 19,5´14,5´5,0.
В
даній мікросхемі використано навісні
транзистори, діодні матриці і конденсатори.
Розміри
підложки мікросхеми 6´12
мм. Найбільша паразитна ємність 0,274 пФ,
індуктивність найдовшого провідника 0,012
мкГн.
Література
1.
Колядкова Л.А., Москва, вища школа, 1984, 231с.
2.
Журнал Радіо №4, Москва, видавництво ДОСААФ,
1990, 96с.
3. Журнал Радіо №10, Москва, видавництво ДОСААФ, 1989, 96с.
