⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ


10. Розрахунок паразитних зв’язків

10.1 Розрахунок паразитних ємностей.

Для розрахунку паразитних ємностей, були використані слідуючи формули:

(  )

(  )

Де: С1.2 – ємність між двома паралельними провідниками

e1 – діелектричні проникність підложки.

e2 – діелектрична проникність навколишнього середовища.

l   – довжина двох паралельних провідників, см.

F1.2ємнісний коефіцієнт для двох провідників.

F1.3ємнісний коефіцієнт для трьох провідників.

b1, b2 – ширина першого і другого провідника відповідно, мм.

a   - відстань між провідниками, мм.

 

Діелектрична проникності для сітала 7

Діелектрична проникності для повітря 1,0006

 

Паразитний зв’язок між трьома довгими провідниками, які знаходяться у верхній частині підложки.

b1=0,1 мм   b2=0,1 мм   b3=0,1 мм   a1=0,17 мм   a2=0,17 мм   l=0,8 см

F1.2=0,966    C1.2=0,274 пФ

F1.3=0,539    C1.3= 0,153 пФ

   

10.2 розрахунок власної індуктивності

Для розрахунку власної індуктивності, використана наступна формула

(  )

де:    Lвласна індуктивність, мкГн

l – довжина провідника, мм

b – ширина провідника, мм.

 

Розрахунок власної індуктивності для провідника, що знаходиться з самого верху підложки.

l=1,5 мм  b=0,1 мм


11. Висновки

Під час курсового проектування я розробляв топологію двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.

При проектуванні топології я використовував метод Ф, який дозволяє з великою точністю дотримуватись потрібного номіналу.

Для своєї мікросхеми, в якості підложки, я використав сітал марки СТ50-1.

Для напилення резистивного шару я використав сплав РС-3710, який має питомий поверхневий опір 3000 Ом/квадрат.

В якості діелектрика я використав монооксид кремнію, який має питому ємність 5000 пФ/см2.

Для напилення провідного шару (металізації), я використав алюміній марки А99.

Для цієї мікросхеми використаний чотирнадцяти-контактний метало скляний корпус, марки 1203.14-1, виводи якого розташовані перпендикулярно в два ряди. Відстань між рядами виводів 10 мм. Розміри площадки для монтажу мікросхеми 14´6,2. Крок між сусідніми виводами 2,5 мм. Габарити корпусу 19,5´14,5´5,0.

В даній мікросхемі використано навісні транзистори, діодні матриці і конденсатори.

Розміри підложки мікросхеми 6´12 мм. Найбільша паразитна ємність 0,274 пФ, індуктивність найдовшого провідника 0,012 мкГн.  


Література

 

1. Колядкова Л.А., Москва, вища школа, 1984, 231с.

2. Журнал Радіо №4, Москва, видавництво ДОСААФ, 1990, 96с.

3. Журнал Радіо №10, Москва, видавництво ДОСААФ, 1989, 96с.

 


<   Попередня сторінка    8


Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023