Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Курсовий проект. Сторінка 7

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

7. Розрахунок навісних компонентів

В гібридних мікросхемах активними елементами служать навісні мікромініатюрні напівпровідникові прилади – без корпусні транзистори, діоди, які мають малі розміри і масу. Їхні кристали захищенні від зовнішніх впливів спеціальним покриттям – лаком, склом, емаллю, смолою, компаундом. В гібридних мікросхемах використовують транзистори двох типів – біполярні і структури МОП – і двох модифікацій – з гнучкими проволочними виводами і жорсткими (сферичними або циліндричними) виводами.

Гнучкі виводи із золотої проволоки діаметром 30...50 мкм припаюють до контактних площадок кристала транзистора. Виводи приладу припаюють або приварюють до контактних площадок підложки мікросхеми. Подібним чином монтують і транзистори з балончатими виводами. Сферичні і циліндричні виводи гальвонічно нарощують на напилені контактні площадки кристала транзистора, після чого його припаюють або приварюють до контактних площадок підложки мікросхеми. В якості діодів найчастіше використовують діодні збірки з гнучкими виводами, котрі монтують на підложку мікросхеми так же, як і транзистори.

Навісні компоненти монтуються безпосередньо на підложці. Існує два види монтажу:

1. Прямий метод. Навісний компонент приклеюється безпосередньо до підложки а за допомогою гнучких виводів припаюється або приварюється до контактних площадок. Основний недолік: низька продуктивність праці, і неможливість автоматизації приварки чи припайки.

2. Перевернутий монтаж. Навісний компонент має значне потовщення виводів з однеї сторони корпуса. За допомогою цих виводів навісний компонент кріпиться до контактних площадок, при цьому здійснюється електричне і механічне з’єднання навісного компонента і підложки.

Таблиця 3. Навісні компоненти.

Позначення	Марка, номінал	Габарити	Рисунок
С2, С3	10н	2´2	8
VD1-VD4		1´1´1	7
VT1	П307	0,7´0,7´0,8	5
VT2	ГТ321	0,7´0,7´0,8	5
VT3	КТ312	1,3´1,3´1,1	6

Транзистор Транзистор Діодна матриця Конденсатор

Рисунок 5. Рисунок 6. Рисунок 7. Рисунок 8.

8. Розрахунок площі контактних площадок

Проща першої контактної площадки для зовнішньої припайки виводів 1.5 мм², площа другої, третьої і четвертої контактної площадки 1 мм².

Площа контактних площадок для приєднання навісних компонентів: 10´0,028 мм²; 6´0,05 мм²; 1´0,155 мм²;

Загальна площа контактних площадок для зовнішньої припайки виводів 4.5 мм².

Загальна площа контактних площадок для припайки навісних компонентів 3.255 мм².

Тому загальна площа контактних площадок в мікросхемі 7.755 мм².

9. Розрахунок площі плати

Для розрахунку площі плати, потрібно просумувати загальну площу, яку займають всі резистори, всі конденсатори, всі котушки індуктивності, всі контактні площадки. Все це потрібно помножити на коефіцієнт використання підложки (K).