⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ


7. Розрахунок навісних компонентів

В гібридних мікросхемах активними елементами служать навісні мікромініатюрні напівпровідникові прилади – без корпусні транзистори, діоди, які мають малі розміри і масу. Їхні кристали захищенні від зовнішніх впливів спеціальним покриттям – лаком, склом, емаллю, смолою, компаундом. В гібридних мікросхемах використовують транзистори двох типів – біполярні і структури МОП – і двох модифікацій – з гнучкими проволочними виводами і жорсткими (сферичними або циліндричними) виводами.

Гнучкі виводи із золотої проволоки діаметром 30...50 мкм припаюють до контактних площадок кристала транзистора. Виводи приладу припаюють або приварюють до контактних площадок підложки мікросхеми. Подібним чином монтують і  транзистори з балончатими виводами. Сферичні і циліндричні виводи гальвонічно нарощують на напилені контактні площадки кристала транзистора, після чого його припаюють або приварюють до контактних площадок підложки мікросхеми. В якості діодів найчастіше використовують діодні збірки з гнучкими виводами, котрі монтують на підложку мікросхеми так же, як і транзистори.

Навісні компоненти монтуються безпосередньо на підложці. Існує два види монтажу:

1. Прямий метод. Навісний компонент приклеюється безпосередньо до підложки а за допомогою гнучких виводів припаюється або приварюється до контактних площадок. Основний недолік: низька продуктивність праці, і неможливість автоматизації приварки чи припайки.

2. Перевернутий монтаж. Навісний компонент має значне потовщення виводів з однеї сторони корпуса. За допомогою цих виводів навісний компонент кріпиться до контактних площадок, при цьому здійснюється електричне і механічне з’єднання навісного компонента і підложки.

 

    Таблиця 3. Навісні компоненти.

Позначення

Марка, номінал

Габарити

Рисунок

С2, С3

10н

2´2

8

VD1-VD4

 

1´1´1

7

VT1

П307

0,7´0,7´0,8

5

VT2

ГТ321

0,7´0,7´0,8

5

VT3

КТ312

1,3´1,3´1,1

6

 

 

  Транзистор                Транзистор                Діодна матриця                Конденсатор

Рисунок 5.                     Рисунок 6.                     Рисунок 7.                     Рисунок 8.  


8. Розрахунок площі контактних площадок

Проща першої контактної площадки для зовнішньої припайки виводів 1.5 мм2, площа другої, третьої і четвертої контактної площадки 1 мм2.

Площа контактних площадок для приєднання навісних компонентів: 10´0,028 мм2; 6´0,05  мм2; 1´0,155  мм2;

Загальна площа контактних площадок для зовнішньої припайки виводів 4.5 мм2.

Загальна площа контактних площадок для припайки навісних компонентів 3.255 мм2.

Тому загальна площа контактних площадок в мікросхемі 7.755 мм2.

 

9. Розрахунок площі плати

Для розрахунку площі плати, потрібно просумувати загальну площу, яку займають всі резистори, всі конденсатори, всі котушки індуктивності, всі контактні площадки. Все це потрібно помножити на коефіцієнт використання підложки (K).

де:    S     - Площа підложки

        K     - Коефіцієнт використання підложки.

- сумарна площа, яку займають резистори.

- сумарна площа, яку займають конденсатори.

 - сумарна площа, яку займають котушки індуктивності.

- сумарна площа, яку займають контактні площадки.

- сумарна площа, яку займають навісні компоненти

Данні для розрахунку

=0.96 мм2

=0.9 мм2

=12.36 мм2

=7.76 мм2

K=3.1

S = 3.1×(0.96+0.9+13.36+7.76) = 71.24

Сумарна площа плати 71.24 мм2.  


<   Попередня сторінка    7   Наступна сторінка   >


Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023