⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ


6. Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів

Плівкові конденсатори звичайно мають трьохшарову планарну структуру: провідник – ізолятор – провідник. Найбільш важкі у виготовленні тонко плівкові конденсатори. Для їхніх обкладок найчастіше використовують алюмінієві і танталові плівки, а в якості діелектрика – плівки із оксидів металів, легкоплавких стікол, і т.д. Для максимального використання поверхні і отримання конденсаторів великої ємності використовують несиметричну конфігурацію обкладок або багатошарові плівкові структури.

При виготовленні товсто плівкових конденсаторів використовують діелектричну і проводящі пасти. Обкладки виконуються із тих же матеріалів, що і в тонко плівкових конденсаторів.

Приклад топології плівкових резисторів показано на рис. 3.

 

Для розрахунку були використанні наступні формули:

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

 

де :             - задана ємність

U            - максимально допустима напруга конденсатора

Е            - діелектрична проникність

Enp         - електрична міцність

aC          - температурний коефіцієнт опору

gC           - відхилення від номінального значення

gC0          - технологічна похибка

gCстар      - коефіцієнт старіння

k             - похибка навколишніх умов

q             - мінімальний розмір перекриття верхньої обкладинки і д/е.

f             - мінімальний розмір перекриття нижньої обкладинки і д/е.

d             - товщина діелектрика

Sb           - площа верхньої обкладинки

Lb           - довжина і ширине верхньої обкладинки

Lnz         - ширина і довжина д/е

L0           - довжина і ширине нижньої обкладинки

Sc          - площа, яку займає конденсатор

 

Розрахунок конденсаторів С1234.  

Данні для розрахунків

Ємність конденсатора 10 пФ ±15%

Максимальна робоча напруга 30 В

Максимальна робоча температура 85 °С

Матеріал

Матеріал для д/е Монооксид кремнію (ГОСТ 5.634-70)

Питома ємність 5000 пФ/см2

Робоча напруга, U 60 В

Діелектрична проникність, Е 5

Електрична міцність, Ем 2×106 В/см

Температурний коефіцієнт ємності 2×10-4 1/°С

Матеріал для напилення обкладок Алюміній А99 (ГОСТ 11069-64)

Товщина діелектрика

Товщина діелектрика, d 4,5×10-5 см

Питома ємність

C0 <= min{C0r,C0toch}

  C0r = 9833,333 пФ/см2 = 98,333 пФ/мм2

  GCt = 1,3%

  GSdop = 5,7%

C0 <= min{98,333; 81,225}пФ/мм2

C0 = 81,225 пФ/мм2

Площа верхньої обкладинки

Площа верхньої обкладки 0,123 мм2

Ширина і довжина обкладинок і діелектрика

Ширина і довжина верхньої обкладки 0,351 мм

Ширина і довжина нижньої обкладки 0,751 мм

Ширина і довжина діелектрика 0,951 мм

Конденсатор займає 0,904 мм2  


<   Попередня сторінка    6   Наступна сторінка   >


Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023