⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ


5. Розрахунок тонкоплівкових резисторів

Найбільш розповсюдженні  елементи гібридних мікросхем – резистори. Для виготовлення тонко плівкових резисторів використовують чисті метали, сплави, метало діелектричні суміші і оксиди металів. Найчастіше використовуються матеріали – ніхром, оксид хрому, олова нітрид танталу і різні кермети (металокерамічні з’єднання). Для отримання великих значень опорів тонко плівкових резисторів, їм надають зигзагоподібну форму (типу меандр). Товстоплівкові резистори виготовляють із паст з високим поверхневим опором. Найбільш розповсюдженні пасти із суміші порошків срібла і паладію.

Приклад топології плівкових резисторів показано на рис. 2.

 

Для розрахунку були використанні формули:

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

(  )

де: 

R                - заданий опір

Tmax           - максимальна робоча температура

gR              - відхилення від номінального значення

P               - потужність (максимальна) резистора

gr0             - відхилення від номінального значення

gRконт         - опір перекриття контактними площадками (%)

е                - перекриття контактами (мм)

DB,  DL    - допуск. Точність виготовлення.

gRстар         - gR старіння

Bтех           - мінімально-можливі жехнічні розміри

P0              - допустима потужність

r0              - питомий опір

aR             - температурний коефіцієнт опору

КФ             - коефіцієнт форми

Bроз           - В розрахункове

gRt             - гама р-т

g Кф           - гама коефіцієнту форми

Bточ           - В точносноє

l                - довжина резистора (мм)

l пов           - повна довжина резистора

SR              - площа, яку займає резистор

 

Розрахунок резисторів R1,R2,R3,R4.  

Данні для розрахунків

Опір резисторів R1, R4 = 1000 Ом

Відхилення від номінального значення: 15 %

Максимальна робоча температура: 85 °С

Матеріал

Матеріал: Сплав РС-3710 (ЕТО.021.034.ТУ)

Питомий поверхневий опір: 3000 Ом/квадрат

Діапазон ефективних значень опорів: 1000-200000 Ом

Допустима потужність: 2 мВт/см^2

Температурний коефіцієнт опору: 0,0003 1/°С

Ширина резистора

b розрахункове більше, або дорівнює максимальному {b техн.; b розрах.; b точ.}

 Кф=0,333

 Bp=0,775 мм

 Bточ=0,792 мм

 GRt=1,95 %

 GKf=5,05 %

B=0,792 мм

Довжина резистора

Довжина резистора 0,264 мм

Повна довжина резистора 0,664 мм

Резистор займає 0,526 мм^2

 

Данні для розрахунків

Опір резисторів R2, R3 = 20000 Ом

Відхилення від номінального значення: 15 %

Максимальна робоча температура: 85 °С

Матеріал

Матеріал: Сплав РС-3710 (ЕТО.021.034.ТУ)

Питомий поверхневий опір: 3000 Ом/квадрат

Діапазон ефективних значень опорів: 1000-200000 Ом

Допустима потужність: 2 мВт/см2

Температурний коефіцієнт опору: -3×10-4 1/°С

Ширина резистора

b розрахункове більше, або дорівнює максимальному {b техн.;b розрах.;b точ.}

 Кф=6,666

 Bp=0,15 мм

 Bточ=0,228 мм

 GRt=1,95 %

 GKf=5,05 %

B=0,228 мм

Довжина резистора

Довжина резистора 1,518 мм

Повна довжина резистора 1,918 мм

Резистор займає площу 0,437 мм2  


<   Попередня сторінка    5   Наступна сторінка   >


Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023