⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ


2. Вхідні данні для побудови топології.

2.1 Схемотехнічні данні

Двонапівперіодний перетворювач (рис.1) побудований на симетричному мультивібраторі, змінний сигнал якого випрямляється двонапівперіодною схемою. Для збільшення потужності вихідного сигналу в кожне плече мультивібратора вімкненний суміщений емітерний повторювач, який створює необхідний струм навантаження.

 

 

Рисунок 1. Схема електрична принципова

 

 

Параметри двонапівперіодного перетворювача

Живеться схема однополярною напругою +30В, на виході 1 отримується напруга +15В , а на виході 2 напруга  –15В. На обох виходах отримується симетричний сигнал, прямокутної форми.

 

  Таблиця 1.

Найменування

Номінал

C1, C4

10 пФ ± 15%

C2, C3

10 нФ ± 15%

R1, R4

1 кОм ± 15%

R2, R3

20 кОм ± 15%

VD1, VD2, VD3, VD4

 

VT1, VT5

П307

VT2, VT6

ГТ321

VT3, VT4

КТ312

 

 

2.2 Конструктивно – технологічні вимоги і обмеження

Всі розміри вказані для рисунків 2,3,4.

Таблиця 2. Конструктивно – технологічні вимоги і обмеження

 

Зміст обмеження

Розмір обмеження, мм,

Метод Ф

Точність виготовлення лінійних розмірів плівкових елементів і відстаней між ними Dl, Db, Da, DB, DL та інших, при розміщенні плівкових елементів в одному шарі, мм

±0,01

Мінімально допустимі розміри резистора, мм,

b

0,1

l

0,1

Мінімально допустимі відстані між плівковими елементами, розташованими в одному шарі, а, мм

0,1

Максимально допустима відстань між плівковими елементами, розташованими в різних шарах, с, мм

³0,1

Перекриття для суміщення плівкових елементів, розташованих в різних шарах, l, мм

³0,1

Мінімальна відстань від плівкових елементів до краю плати, d, мм

0,2

Мінімальна ширина плівкових провідників, i, мм

0,05

Мінімально допустима відстань між краєм плівкового резистора і  краєм його контактної площадки, j, мм

0,1

Мінімально допустима відстань, мм

Між краями діелектрика і нижньою обкладкою конденсатора, f, мм

0,1

Між краями верхньої і нижньої обкладинок конденсатора, g, мм

0,2

Між краями діелектрика і з’єднуванням виводу конденсатора з іншим плівковим елементом, h, мм

0,3

Між краєм діелектрика і нижньою обкладинкою конденсатора в місці виводу верхньої обкладинки, c, мм

0,2

Від плівкового конденсатора до приклеєних навісних компонентів, z, мм

0,5

Мінімальна площа перекриття обкладинок конденсатора LхB, мм

0,5х0,5

Максимальне відхилення ємності конденсатора від номінального значення, %

±12

Мінімальна відстань від дротового (проволочного) провідника або виводу до краю контактної площадки або до краю плівкового провідника, незахищеного ізоляцією, k, мм

0,2

Мінімальні розміри контактних площадок для монтажу навісних компонентів з кулевими або стовпчиковими виводами, мм

m

0,2

n

0,1

Мінімальні розміри контактних площадок для контролю електричних параметрів, мм

0,2´0,2

Максимальна довжина гнучкого виводу без додаткового кріплення, о, мм

3,0

Мінімальна відстань, мм, між контактними площадками для монтажу навісних компонентів з кулевими виводами і плівковими резисторами p, діелектриком конденсатора, d

p

0,6

s

0,35

Мінімальна відстань, мм, від краю навісного компонента, до:

Краю плати, q

0,4

Краю іншого компонента, r

0,4

Краю навісного пасивного компонента

0,6

Краю контактної площадки, призначеної для приварки проволочних виводів, s

0,4

Проволочного провідника

0,3

Луженного плівочного елемента

0,2

Мінімальні розміри контактних площадок для приварки проволочних провідників або проволочних виводів навісних компонентів, при діаметрі дроту, мм

Æ0,03

Для одного

0,15´0,1

Для двох

0,2´0,2

Для трьох

0,2´0,3

Æ0,04

Для одного

0,2´0,15

Для двох

0,25´0,25

Для трьох

0,25´0,40

Æ0,05

Для одного

0,25´0,40

Для двох

0,3´0,3

Для трьох

0,3´0,5

 

 

 

 

 

 


Рисунок 2.  

    
Рисунок 3. 

   

 

Рисунок  3.


<   Попередня сторінка    3   Наступна сторінка   >


Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023