⚠ 11.2023: Сайт знаходиться в стані перебудови. Можливо тимчасове порушення функціонування.

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

Автор курсового проекту: Сергій КРУШНЕВИЧ



1. Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми

  Процес виготовлення гібридної мікросхеми можна розділити на чотири основних етапи: формування підложи із матеріалу з діелектричними властивостями; нанесення на підложку плівкових пасивних елементів, з’єднувальних провідників і контактних площадок; монтаж дискретних активних і пасивних елементів схеми; збірка мікросхеми. [2]

Основні конструктивні елементи гібридної мікросхеми, крім підложки і корпуса, - це плівкові резистори, конденсатори, провідники, контактні площадки, навісні без корпусні напівпровідникові прилади (транзистори, діоди, мікросхеми) мініатюрні навісні пасивні елементи (конденсатори великої ємності, трансформатори, дроселі). Останні використовують тільки в тих випадках, коли для отримання заданих вихідних параметрів неможливо реалізувати вузол без конденсаторів великої ємності і котушок.  

  1.1 Переваги гібридних інтегральних мікросхем

1.      Гібридна технологія дозволяє відносно швидко створювати електронні прилади, які виконують достатньо складні функції.

2.      Обладнання для виготовлення гібридної інтегральної мікросхеми значно дешевше ніж для виготовлення напівпровідникових інтегральних мікросхем.

3.      Перевагою гібридних технологій являється більший відсоток виходу працездатних мікросхем 60-80%, порівняно з 5-30% для напівпровідникових інтегральних мікросхем. Брак, який виникає при виготовленні гібридних інтегральних мікросхем часто можна усунути.

4.      Підложка гібридної інтегральної мікросхеми виготовлена з високоякісного діелектричного матеріалу, томі із за малих паразитних ємностей і гарної взаємної ізоляції елементів і компонентів, гібридні інтегральні мікросхеми мають кращі високочастотні і імпульсні електричні властивості, тому у високочастотному і надвисочастотному діапазоні переважно використовуються гібридні інтегральні мікросхеми.

5.      Гібридні інтегральні мікросхеми мають вищу радіаційну стійкість.

 

1.2 Недоліки гібридних інтегральних мікросхем

1.      Мала надійність, так як використовується навісний монтаж

1.      Більші габарити і вага

2.      Неможливість отримання активних елементів в єдиному технологічному циклі з пасивними.  


<   Попередня сторінка   2    Наступна сторінка   >


 01.09.2007

Зміст:
Вступ. Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні.
Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.
Вхідні данні для побудови топології гібридної мікросхеми. .
Вибір корпусу гібридної інтегральної мікросхеми. Вибір матеріалу підложки.
Розрахунок тонкоплівкових резисторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів гібридної мікросхеми.
Розрахунок та вибір навісних компонентів гібридної мікросхеми. Розрахунок площі контактних площадок. Розрахунок площі плати.
Розрахунок паразитних зв’язків між шарами та елементами гібридної мікросхеми. Висновки.

Опубліковано:

Оновленно: 20.11.2023


(SKNewVersion)(25012024)
Serhii K Home Page © 2003-2023