Мікроелектроніка

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні Пояснювальна записка до курсового проекту. В цьому курсовому проекті виконано роботу по розробці гібридної інтегральної мікросхеми двонапівперіодного перетворювача. Перетворювач призначений для генерування двополярної напруги, амплітудою 15В, на основі однополярної 30В. Курсовий проект.
Топологія гібридної інтегральної мікросхеми
Приклад топології напівпровідникової мікросхеми: Топологія: 10 елементів, без масштабу Топологія: 12 елементів, без масштабу Топологія: 4 плівкові елементи + 2 навісні компоненти, без масштабу
В недрах микросхем. Технологія виготовлення напівпровідникових мікросхем. Стаття у п'яти часинах. 1 частина. Початкові стадії. Вирощування кремнієвого зливку 2 частина. Чиста кімната. Процес літографії, дифузії та окислення. Принцип роботи p-n-переходу. Епітаксіальний шар. Методи ізолювання окремих елементів мікросхеми. Біполярна технологія (біполярний транзистор). 3 частина. Технологія МОП та КМОП. Польовий транзистор. Технолігія "Кремній на ізоляторі" 4 частина. Технологія з'єднання окремих елементів в загальну схему. Розрізання підложки на кристали. Контроль якості. Кінцева збірка мікросхеми. Подяка :) 5-частина. Технологія "Растянутый кремний" та її альтернатива з СНД.
Технологія Flash та StaraFlash у статичній пам'яті
Методи отримання монокристалічних злитків