Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні. Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми. 
Наступна сторінка   >

Міністерство освіти України

Київський технікум електронних приладів

 

Проектування топології двонапівперіодного перетворювача в гібридному виконанні

Пояснювальна записка до курсового проекту гібридної інтегральної мікросхеми

  ВЕТ 5.090805 12 ПЗ  

Виконав студент

Групи 352 ЕТ

23 листопада 2003 р.

 

2000

ЗАТВЕРДЖЕННО

Предметною комісією

“___”___2000р.

Голова ______________

 

ЗАВДАННЯ

На курсове проектування по Вироби електронної техніки та основи проектування

студенту *********** *.*..  курсу 3  групи 352-ЕТ

Київського технікуму електронних приладів

 

Тема завдання: розробка топології гібридної інтегральної мікросхеми.

 

Курсовий проект по вказаній темі виконується студентом технікуму в такому об’ємі:

Пояснювальна записка:

 

1.   Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.

2.   Вхідні данні для побудови топології.

2.1 Схемотехнічні данні.

2.2 Конструктивно-технологічні вимоги і обмеження.

3.   Вид корпусу інтегральної мікросхеми.

4.   Вибір матеріалу підложки.

5.   Розрахунок тонко плівкових резисторів.

6.   Розрахунок тонко плівкових конденсаторів.

7.   Вибір навісних компонентів.

8.   Розрахунок площі контактних площадок.

9.   Розрахунок площі плати.

10. Розрахунок паразитних зв’язків.

11. Висновки.

     Література

   

Графічна частина проекту * З приводу графічної частини звертайтесь по електронній пошті

 

Лист 1 Схема електрична принципова

Лист 2 Комутаційна схема

Лист 3 Топологія

Лист 4 Пошарове креслення. Вид на резестивний шар

Лист 5 Пошарове креслення. Вид на першу металізацію

Лист 6 Пошарове креслення. Вид на діелектричний шар

Лист 7 Пошарове креслення. Вид на другу металізацію

Лист 8 Збіркове креслення

Лист 8 Корпус

 

 Дата видачі _______________

Дата закінчення ___________

Зав. відділенням ___________

Викладач _________________

 

  Зміст

 

 

Аркуш

1.

Конструкція гібридної інтегральної мікросхеми.....................

3

2.

Вхідні данні для побудови топології.........................................

4

2.1

Схемотехнічні данні....................................................................

4

2.2

Конструктивно-технологічні вимоги і обмеження..................

5

3.

Вид корпусу інтегральної мікросхеми......................................

7

4.

Вибір матеріалу підложки..........................................................

8

5.

Розрахунок тонко плівкових резисторів...................................

9

6.

Розрахунок тонко плівкових конденсаторів.............................

11

7.

Вибір навісних компонентів. .....................................................

13

8.

Розрахунок площі контактних площадок..................................

14

9.

Розрахунок площі плати..............................................................

15

10.

Розрахунок паразитних зв’язків..................................................

16

11.

Висновки.......................................................................................

17

 

Література.....................................................................................

18

 

Вступ

 

Інтегральна схема – це мініатюрний вироб, який виконує визначенну функцію перетворення і обробки сигналів. [1]

Елементи інтегральної мікросхеми – це частина інтегральної мікросхеми, яка реалізує функцію будь-якого  електро-радіоелемента (транзистора, резистора, діода, конденсатора). Ця частина виконана нероздільно від кристала або підложки інтегральної мікросхеми. Тому елемент не може бути відокремленний від підложки, як самостійний вироб.

Компонент інтегральної мікросхеми – це частина інтегральної мікросхеми, яка реалізує функцію будь-якого електро-радіоелемента, і може бути виконанна як самостійний вироб з точки зору вимог до випробовування, використання і експлуатації.

В гібридних мікросхемах пасивні елементи і всі з’єднання представляють собою плівки із різних матеріалів, нанесених на діелектричну підложку, а в якості активних елементів використовуються навісні дискретні напівпровідникові прилади. В цих мікросхемах використанні переваги плівкової технології в поєднанні з технологією напівпровідникових приладів.

В свою чергу плівкові елементи можуть бути тонкоплівкові (товщина плівки менше 1 мкм) і товсто плівкові (товщина плівки більше 1 мкм). Тонкі і товсті плівки мають свої переваги.

В тонко плівкових мікросхемах  основний матеріал провідників і контактних площадок – алюміній. В товсто плівкових використовують пасти, які містять платину, золото і скло або срібло і скло.

За допомогою тонко плівкової технології, без додаткової підготовки, можна отримати більш вузький допуск на номінали резисторів і конденсаторів, досягається більш висока щільність розміщення елементів на підложці, а також менші діелектричні втрати на високих частотах, що дозволяє використовувати тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми у пристроях, які працюйть у високочастотному і надвисокочастотному діапазоні.

Товстоплівкова технологія дешевша в порівнянні з тонко плівковою, при виготовленні можна використовувати простіше обладнання, і менші вимоги до використовуємих приміщень. Товстоплівкові інтегральні мікросхеми володіють більшою механічною міцністю, мають кращу корозійну і теплостійкість. Товсті плівки можуть пропускати значно більші струми в порівнянні з тонкими плівками (при однаковій ширині плівкового елемента).  

Наступна сторінка   >