|
 
|
|
Home Page |
| Домашня сторінка |
Матеріали електронної техніки
Наступна сторінка
Магнітні характеристики матеріалів
По відношенню до магнітного поля, розрізняють: 1.слабомагнітні (парамагнетики,
діамагнетики); 2.сильномагнітні (феромагнетики)

де Н – напруженість
магнітного поля;
В –
магнітна індукція
По відношенню до електричного
поля матеріали поділяються на провідники, н/п,
д/е.
За основу класифікації беруть
питомий електричний опір

де для провідників:
R –опір,
S - площа поперечного
перерізу, l –
довжина провідника; для
н/п і діелектриків: R -
об’ємний опір, S -
площа провідникового покриття, l - відстань
між діелектриками.
|
Матеріал |
r [Ом×
м] |
a r [град ] |
тип електропро-відності |
|
Провідники |

|
> 0 |
електронний |
|
Напівпровідники |

|
< 0 |
електронний дірковий |
|
Діелектрики |
> |
< 0 |
електронний іонний |
a r =TKr
=
Механічні властивості
Твердість
– це здатність матеріала протистояти
проникненю іншого більш твердого тіла.
Пластичність – відносне
видоаження перед розривом

Характеристика міцності
– випробування на розтяг

Випробування на
в’язкість
– проводиться на маятникові Копра.
Матеріали
високої провідності
|
Назва |
Питомий опір r  |
|
Ag |
0,016 |
|
Cu |
0,0172 |
|
Au |
0,024 |
|
Al |
0,028 |
Напівпровідники
Домішкова провідність
– служить для підвищення
електропровідності напівпровідника.
Донорні домішки. Якщо в
кристалічну решітку германію (4х
валентний) ввести атом мишяку (5ти
валентний), то для 1го електронна нехватає
пари і він стає вільним. При цьому
концентрація вільних електронів зростає.
“n
– провідність.”
Акцепторні домішки
.
Якщо в кристалічну решітку германію(4х
валентний) ввести індій(3х валентний),
то для одного електрона германію
невистачатеме 1го електрона і в
кристалічній решітці напівпровідника
утворюється дірка. “p – провідність.”
 |
Провідність металу залежить
від розмірів забороненої зони.
Заборонена зона:
»
0 еВ
– провідник
< 2 еВ – н/провідник
>
2 еВ – діелектрик |
Методи отримання
напівпровідників
Схема технологічного процесу
Добування н/п матеріала з природної
сировини
Хіхічне та металургічне очищення
Вирощування мококристала та легування
Хімічний метод очищення
- Це синтез
таких сполук, що можна легко очистити від
домішок (голоїдні сполуки {Cl, Br, I}),
глубоке очищення і подальше відновлення
вихідного продукту.

Металургічний метод
- Полягає в багаторазовій
перекристалізації злитка основної
речовини хляхом послідовного
розплавлення його ділянок, при цьому
внаслідок нерівномірного розподілу
домішок в твердій і рідкій частині злитка,
відбувається відтіснення (дифузія)
домішок в кінець злитка.
Cs – Концентрація
домішок в твердій фазі
CL – Концентрація
домішок в рідкій фазі
К – коефіцієнт сегригації.

Технологія отримання германію
1.Хлорування
германієвого концентрату з метою отримання
тетра хлориду германія

2.Глубоке очищення
методами:
а) екстракція – це розчинення в
HCl; відокремлення
хлоридів домішок від .
б) ректифікація – це
випаровування і багаторазове промивання
парів проти течії, заснованих на різниці
температур кипіння та хлоридів домішок.
в) гідроліз з метою отримання
товарної двоокисі 

-
це порошок.
3.Потім
визначають його питомий отвір і косвено
визначають ступінь чистоти.
4.водневе
відновлення
з метою отримання полікристалічного
злитку

5.металургічне очищення
методом зонної плавки.
- Кварцева труба;
- Витки ВЧ індуктора
;
- Зликок очищуваного германію
;
- Г
рафітовий
човник;
- Зони плавки в площині витків
;
- Пересувна каретка, на якій закріпленно
витки;
6.вирощування
монокристалів та легування
Метод
Чохральського
-
Затравка
- Монокристал
- Розплав
- Тігель з графіту
- ВЧ індуктор
- Шток
Наступна сторінка >>>
Останнє оновлення 05 серпня 2008 р.